%0 Journal Article
%T GaAs（100）表面钝化和Mg／S／GaAs界面的SRPES研究
%A 陆尔东
%A 徐彭寿
%A 徐世红
%A 余小江
%A 潘海斌
%A 张新夷
%A 赵天鹏
%A 赵特秀
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 应用同步辐射光电子谱（ＳＲＰＥＳ）表征了一种新的ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液体系处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这说明ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液处理的ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，发现ＡＳ的硫化物不稳定，分解或反应生成Ｇａ－Ｓ成分和元素态Ａｓ；室温下，Ｍｇ淀积硫钝化的ＧａＡｓ表面的实验结果表明，Ｍｇ置换ＧａＳ的Ｇａ成为金属Ｇａ偏析到表面，而硫以ＭｇＳ
%K 砷化镓
%K 表面钝化
%K MgGa合金
%K 同步辐射
%K 表面处理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=018A50686D56C9C6&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=6313C162FF75889A&eid=CEFF71AEB051114C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=7