%0 Journal Article
%T 红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制
%A 张鹏飞
%A 侯东彦
%A 杨景铭
%A 钱佩信
%A 罗台秦
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文在研究多晶薄膜熔化前沿推进行为的基础上，指出ＳＯＩ晶膜形貌缺陷的产生与固液界面的温度梯度有密切关系，从而提出了一种通过减小石墨条与样品间距以抑制缺陷产生的措施．
%K SOI
%K 再结晶
%K 熔化
%K 形貌缺陷
%K 多晶硅
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7996480BCFE261EB&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8CC50269EED5BB47&eid=3EE58D91F4253193&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2