%0 Journal Article
%T Nb／C_（60）／p型Si结构的特性
%A 陈开茅
%A 金泗轩
%A 贾勇强
%A 吴克
%A 李传义
%A 顾镇南
%A 周锡煌
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１．
%K 硅
%K 结构
%K 电学特性
%K 异质结
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FE3AD82F2825E544EA45A7B546B8C37&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=27350781F1397F32&eid=2A92ABD90588B251&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=2