%0 Journal Article
%T A High Purity Integer-N Frequency Synthesizer in 0.35μm SiGe BiCMOS<br>基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器
%A Zhang Jian
%A Li Zhiqiang
%A Chen Liqiang
%A Chen Pufeng
%A Zhang Haiying
%A <br>张健
%A 李志强
%A 陈立强
%A 陈普峰
%A 张海英
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS的整数N频率综合器.通过采用不同工艺来实现不同模块,实现了一个具有良好的杂散和相噪性能的高纯度频率综合器.除环路滤波器外所有的部件均采用差分电路结构.为了进一步减小相位噪声,压控振荡器中采用绑定线来形成谐振.该频率综合器可在2.39～2.72 GHz的频率范围内输出功率OdBm.在100kHz频偏处测得的相位噪声为-95dBc/Hz,在1MHz频偏处测得的相位噪声为-116dBc/Hz.参考频率处杂散小于-72dBc.在3V 的工作电压下,包括输出驱动级在内的整个芯片消耗60mA电流.
%K SiGe BiCMOS
%K phase-locked loop
%K high purity
%K loop bandwidth<br>SiGeBi
%K CMOS
%K 锁相环
%K 高纯度
%K 环路带宽
%K SiGe
%K BiCMOS
%K phase-locked
%K loop
%K high
%K purity
%K loop
%K bandwidth
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BE2598BBC146CABBE4204C565BAEBFC7&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=E158A972A605785F&sid=04FC77FB58A9B53A&eid=00520952CD4BF212&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9