%0 Journal Article
%T Growth of p-GaN on High-Temperature AlN Templates<br>高温AlN模板上p型GaN的生长研究
%A Liu Ting
%A Zou Zey
%A Wang Zhen
%A Zhao Hong
%A Zhao Wenbo
%A Luo Muchang
%A Zhou Xun
%A Yang Xiaobo
%A Liao Xiuying
%A <br>刘挺
%A 邹泽亚
%A 王振
%A 赵红
%A 赵文伯
%A 罗木昌
%A 周勋
%A 杨晓波
%A 廖秀英
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178",其空穴氧浓度为5.78×1017 cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017 cm-3.
%K 高温AlN
%K 渐变δ掺杂
%K 均匀掺杂
%K 金属有机物化学气相沉积
%K p型GaN
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CBD22AE96B8FBC6C1C33165D397CE957&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=1F199509C0B6C4D6&eid=7C72DBC13F2D71EC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13