%0 Journal Article
%T 可用于GaAlAs／GaAs异质结发光器件应力设计的应力分布计算方法
%A 李炳辉
%A 李志宏
%A 韩汝琦
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 基于作者提出的改进应力分布力学模型得到了计算半导体异质结多层结构应力分布的公式．针对带缓冲层ＧａＡｌＡｓ可见光激光器计算得到的有源层应力可以很好地解释Ｓｈｉｍｉｚｕ等有关器件寿命的实验结果．分析并指出了一些文献中处理半导体异质结多层结构应力问题的不合理之处．
%K GaAlAs
%K 砷化镓
%K 异质结
%K 发光器件
%K 应力分布
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E0FCF5BF111C6DF0&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=81D76BB45305F8B7&eid=F4DCFB3CB96519BF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3