%0 Journal Article
%T 半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe压力光致发光研究
%A 姜山
%A 沈学础
%A 李国华
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光.
%K 磁性半导体
%K 压力
%K 光致发光
%K Cd－MnTe
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398BFA39969E69329603&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=656F8C8401D91023&eid=CFAC5CB624A41AFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2