%0 Journal Article
%T Ohmic Contacts Formed by Ion Mixing in Si-Diamond System<br>硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触
%A Fang Fang/Ion Beam Laboratory
%A <br>方芳
%A S.S.Lau
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 用离子束混合Si(700A)/C样品,在天然Ⅱb型金刚石上形成了梯度能带接触。选用Ge~+为注入离子,在能量120keV,剂量2.0×10~(16)cm~(-2),温度700℃下进行离子束混合。Rutherford背散射显示:有3—4％的Si与金刚石混合。红外吸收谱发现了Si—C键的形成,这表明形成了Si/SiC/C的梯度结构。Ⅰ—Ⅴ特性说明了离子束混合和高温热退火有助于欧姆接触的形成。而没有经过离子束混合的样品显示了Ⅰ—Ⅴ开路特性。
%K lon mixing
%K ohmic contacts
%K graded band-gap<br>硅－金刚石
%K 离子束混合
%K 欧姆接触
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8B386B0A18766F38BFE1F010959F1563&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=D93AD940782892D0&eid=F18BA6286A889C1C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0