%0 Journal Article
%T A Comparison of Electric Properties of Back-Field Si Solar Cell and GaAs/Ge Solar Cell for Space Use as a Function of Proton Irradiation Fluence<br>空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较
%A Wang Rong
%A Zhou Hongyu
%A Si Geli
%A Yao Shude
%A Zhang Xinhui
%A Guo Zengliang
%A Zhai Zuoxu
%A Wang Yongang
%A Zhu Shengyun
%A <br>王荣
%A 周宏余
%A 司戈丽
%A 姚淑德
%A 张新辉
%A 郭增良
%A 翟佐绪
%A 王勇刚
%A 朱升云
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了空间实用背场 Si太阳电池和 Ga As/ Ge太阳电池性能随质子辐照注量 1× 10 9～ 5× 10 1 3cm- 2 的变化 .实验表明 ,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势 .背场 Si太阳电池性能参数 Isc、Voc和 Pmax衰降变化快 ,辐照注量为 2× 10 1 0 cm- 2时 ,Pmax就已衰降为原值的 75 % ;而 Ga As/ Ge电池对应相同的衰降辐照注量达 8× 10 1 1 cm- 2 ,且其 Isc、 Voc和 Pmax衰降变化起初缓慢 ,当辐照注量接近 3× 10 1 2 cm- 2 时才迅速下降 .背场 Si电池和 Ga As/ Ge电池性能衰降分别与质子辐照引入的 Ev+0 .14 e V及 Ev+0 .4 3e V和
%K Si solar cell
%K GaAs/Ge solar cell
%K Proton irradiation<br>Si太阳电池
%K GaAs/Ge太阳电池
%K 质子辐照
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=018C2A0CA5D2B75F&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=2A3781E88AB1776F&eid=286FB2D22CF8D013&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=7