%0 Journal Article
%T GaAs-Based Enhanced-Mode Metamorphic High Electron Mobility Transistor by Using Buried Pt-Schottky Gate<br>Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管
%A Chen Xiaojian
%A Wu Xu
%A Li Fuxiao
%A Jiao Gang
%A <br>陈效建
%A 吴旭
%A 李拂晓
%A 焦刚
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 讨论了采用埋栅结构实现Ga As基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究,确定在增强型MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的Pt Schottky埋栅结构;并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究.在此基础上通过实验研制的原理性1.0 μm×10 0 μm Pt栅增强型MHEMT的特性获得了夹断电压为+0 .12 V,跨导为4 70 m S/ m m及截止频率为5 0 GHz的测试结果,优于使用同一外延片制作的D-MHEMT
%K MHEMT
%K enhanced-mode
%K Pt buried-gate b arrier
%K thermal stabilization<br>MHEMT
%K 增强型
%K Pt基埋栅势垒
%K 稳定性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1F68040BE35C6344&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=966760CE8B6E636C&eid=4442BFF895478018&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10