%0 Journal Article
%T Preparation of Crystal Oriented α-SiC Films by Pulsed ArF Laser Deposition on Si(111)<br>在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜
%A WANG Yu
%A |xia
%A WEN Jun
%A GUO Zhen
%A TANG Hong
%A |gao
%A <br>王玉霞
%A 温军
%A 郭震
%A 汤洪高
%A 黄继颇
%A 王连卫
%A 林成鲁
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 C/ Si比约为 1 .0 1 .表面有污染 C及少量氧化态 Si和 C.室温下用 2 80 nm光激发薄膜 ,在 341 nm处有较强发光峰 ,半峰宽 45nm,显示出较好的短波
%K 激光淀积
%K α-SiC薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=18C1804B14CCB30B&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=B31275AF3241DB2D&sid=18F040DBCB74FFF9&eid=E406B4E9A1BA9D8C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=13&reference_num=14