%0 Journal Article
%T 不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究
%A 钱伟
%A 金晓军
%A 张炯
%A 林惠旺
%A 陈培毅
%A 钱佩信
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．
%K 锗化硅
%K HBT
%K 应变层
%K Early电压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C4525A99F2AD7F65511&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=E158A972A605785F&sid=4D7D059FFBF006B9&eid=4FE459D71E3BF8EB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0