%0 Journal Article
%T PECVDSi_3N_4钝化膜对GaAsMESFET直流特性的影响
%A 宫俊
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 用ＰＥＣＶＤ氮化硅薄膜对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ进行钝化，本文讨论了钝化对器件特性的影响，提出了一种改善ＧａＡｓ器件表面的方法，结果表明利用该方法和ＰＥＣＶＤ氮化硅钝化膜改善了器件的栅漏击穿电压。
%K 砷化镓
%K MESFET
%K 氮化硅
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9305F48759C838B7&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=0A0BD3F594F876C0&eid=B1989ED92BA7E896&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2