%0 Journal Article
%T 新型GaAsD－MESFETDCFL单元电路
%A 王庆康
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文基于自举反馈原理提出了一种新型的全部电耗尽型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ构成的单电源ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ直接耦合逻辑ＦＥＴ单元电路．该单元电路比已有的各种ＧａＡｓ数字集成电路单元电路有明显优点，是ＧａＡｓ数字集成电路领域有前景的新型逻辑单元电路．
%K D=MESFET
%K 逻辑单元电路
%K GaAs
%K 数字集成电路
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FB5D7C3DFA23EA11&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=5D311CA918CA9A03&sid=3EABEBD973E45554&eid=250DF325A002B9CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3