%0 Journal Article
%T 硅双极晶体管低温电流增益模型修正
%A 苏九令
%A 常旭
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 多晶硅发射区双极晶体管的低温（７７Ｋ）电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上．本文由基区电子电流密度Ｊｎ和发射区空穴电流密度Ｊｐ出发，根据实际掺杂情况中的近似高斯分布，分析了理想掺杂近似对电流增益结果的影响，指出引用这一近似在常温下偏差较小，在低温下则会出现较大的误差．在此基础上，对多晶硅发射区双极晶体管低温电流增益模型作了修正．结果表明，修正后的模型与ＰＩＳＣＥＳ模拟结果取得了较好的吻合．
%K 硅
%K 双极晶体管
%K 低湿
%K 电流增益
%K 晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7E283BBF3C7EDAFE&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=5D311CA918CA9A03&sid=7FAAB0292FA0D5D0&eid=BA3451F2C9E4FB70&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1