%0 Journal Article
%T 用改进的气相物理输运法制备高品位CdTe单晶
%A 杨柏梁
%A 石川幸雄
%A 一色实
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 以超高纯Ｔｅ和重复区熔法获得的超高纯Ｃｄ为原料，用改进的气相物理输运法制备了高质量的ＣｄＴｅ单晶．改进的ＰＶＴ有效地抑制了生长安瓶封装时产生的原料氧化和沾污，提高了生长速率和稳定性．利用电子回旋共振，光致发光等方法的测试结果表明，所获得的高品位ＣｄＴｅ单晶的中性施主杂质浓度仅为５e１４ｃｍ－３，４．２Ｋ下电子回旋迁移率高达２．５e５ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．
%K 碲化镉
%K 气相物理输运法
%K 制备
%K 单晶
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A79173FD6E56745E&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=61000B595C9AE527&eid=1CBB73E9593E8833&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4