%0 Journal Article
%T Si~＋注入InP材料的欧姆接触特性研究
%A 沈鸿烈
%A 徐宏来
%A 周祖尧
%A 林梓鑫
%A 邹世昌
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文报道Ｓｉ＋注入ＩｎＰ材料与ＡｕＧｅＮｉ合金和Ｗ金属膜的欧姆接触特性．发现Ｓｉ＋单注入样品与二者均形成较好的欧姆接触，共Ｐ＋注入的样品中比接触电阻则大大下降（约小一个数量级）．卢瑟福背散射分析表明，６００℃热处理后Ｗ金属膜与ＩｎＰ界面作用很小，而８００℃热处理后界面有一定的互扩散．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=79B8F7B564B03E6BD5952C4FF7857BF3&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8D75AD3BD0D1BCC5&eid=BEE722AB5028E81F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0