%0 Journal Article
%T 硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性
%A 刘晓为
%A 张国威
%A 刘振茂
%A 理峰
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值，理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度，理论分析与实验结果相符合．通过对影响薄膜电阻率温度特性诸因素的分析讨论，提出了减小多晶硅薄膜电阻温度系数的最佳途径．
%K 多晶硅
%K 膜膜
%K 电阻率
%K 硼
%K 掺杂
%K 温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B7AE02737D8BA70E&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=9BA67A0B76A3DBA8&eid=E57FE519484CFB70&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4