%0 Journal Article
%T MOMBE法生长重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As应变超晶格
%A 齐鸣
%A 罗晋生
%A 白坚淳一
%A 山田巧
%A 野崎真次
%A 高桥清
%A 鹿岛秀夫
%A 德光永辅
%A 小长井诚
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X ,罗晋生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,鹿岛秀夫,德光永辅,小长井诚 中文摘要 本文采用以TMG、固体In和固体As作为分子束源的MOMBE法,首次成功地生长了空穴浓度高达1×10~(20)/cm~3数量级的重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)应变超晶格(SLS)结构,用XRD、Raman、PL和Hall测量等方法分析了样品特性,讨论了结构参数对应变弛豫及SLS特性的影响,结果表明,所得样品不仅具有很高的空穴浓度,而且具有较窄的等效禁带宽度,可望用于GaAs系HBT基区的制作。
%K 化合物半导体
%K 晶体生长
%K 掺杂碳
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE384D5CE9F19C03A536&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=FCACFF68346F8D4F&eid=98494933359B55EC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2