%0 Journal Article
%T 分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格
%A 徐梁
%A 王海龙
%A 沈爱东
%A 崔捷
%A 陈云良
%A 沈玉华
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm~2/V·s,空穴浓度为3—5×10~(14)/cm~3。
%K 分子束外延
%K ZnSe－ZnTe
%K 超晶格
%K P型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE38A5DD92059B30D4D6&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=42D7028D961473F8&eid=37F781FD8E744761&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3