%0 Journal Article
%T 自然氧化和电子辐照对多孔硅结构有序度的影响
%A 官浩
%A 阎锋
%A 鲍希茂
%A 杨海强
%A 吴晓薇
%A 洪建明
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 多孔硅在空气中自然氧化形成Si—O—Si键,引起晶格畸变,导致有序度下降,氧化层用HF去除,有序度可恢复。大束流电子束辐照直接引起晶粒无序化,其有序度不能在HF浸泡中恢复。
%K 氧化
%K 多孔硅
%K 微结构
%K 电子束辐照
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C1ECB94C6A66409E&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=91BAD12CFABB3251&eid=20C3B205768D55E0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4