%0 Journal Article
%T Theoretical Calculation of Optimum Doping Content in Oxide Semiconductor Transparent Conductive Films<br>氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算
%A FAN Zhi xin
%A SUN Yi cai
%A CHEN Jiu lin
%A <br>范志新
%A 孙以材
%A 陈玖琳
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 .该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题
%K oxide semiconductor
%K transparent conductive films
%K optimum doping content<br>氧化物半导体
%K 透明导电薄膜
%K 最佳掺杂含量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=99B8F1C111C279FF&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=708DD6B15D2464E8&sid=83525804D8B40525&eid=2B78D85EBFEED708&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=25&reference_num=14