%0 Journal Article
%T a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为
%A 郭震宁
%A 黄永箴
%A 郭亨群
%A 李世忱
%A 王启明
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 采用 PECVD技术在 P型硅衬底上制备了 a- Si Ox∶ H/a- Si Oy∶ H多层薄膜 ,利用 AES和 TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为 .结果表明 :a- Si Ox∶ H/a- Si Oy∶ H多层薄膜经退火处理形成 nc- Si/Si O2 多层量子点复合膜 ,膜层具有清晰完整的结构界面 .纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构 ,颗粒大小随退火温度升高而增大 .在一定的实验条件下 ,样品在 650℃下退火可形成尺寸大小合适的纳米硅颗粒 .初步分析了这种多层复合膜形成的机理
%K 退火
%K 微结构
%K 多层薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E8BC00320B5C024A&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=B31275AF3241DB2D&sid=39E48869A719B9DE&eid=57EA20F731155703&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0