%0 Journal Article
%T 利用STM观察Si（100）微斜面的表面结构
%A 张兆祥
%A 井藤浩志
%A 市川竹男
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文利用超高真空ＳＴＭ和ＬＥＥＤ装置观察了错切角为０．５°和４．５°的Ｓｉ（１００）微斜面的原子结构．观察到错切角为０．５°时ＳＴＭ像为单原子高度台阶表面结构，错切角为４．５°时ＳＴＭ像为双原子高度台阶结构．
%K 硅
%K STM
%K 表面结构
%K 处延生长
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BDFC2D333DAC3974&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=AC2617B68B137D9D&eid=5824536C90612D67&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2