%0 Journal Article
%T 多孔硅室温光致发光研究
%A 柳承恩
%A 郑祥钦
%A 阎峰
%A 鲍希茂
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 采用电化学和化学溶蚀法在体单晶硅上制备了高孔度多孔硅;室温下测量了蓝光激发的光致可见光谱,发现样品在大气环境中保存时光致发光谱随时间有显著“蓝移”,并渐趋稳定,谱峰位置“蓝移”约40nm;文中给出了发光膜的平面透射电镜形貌和电子衍射照片。“蓝移”和电镜照片的结果能用量子尺寸效应说明。文中还给出了喇曼谱仪上测得的光致发光谱和多孔硅的喇曼位移峰。
%K 多孔硅
%K 光致发光
%K 室温
%K 制备
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0CC713CBF8AC66D8&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=E513158F1BE1471F&eid=D5970ECA7D10A7B1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0