%0 Journal Article
%T 用TOF-SIMS研究半导体芯片铝键合点上的有机沾污
%A 郑国祥
%A 李越生
%A 宗祥福
%A 任翀
%A 罗俊一
%A 史刚
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 铝键合点的表面沾污增强了对铝合金化表面的腐蚀，并导致微芯片的失效．过去大量的工作多集中在由等离子工艺引起的含氟的无机沾污；很少接触到键合点的有机沾污．飞行时间二次离子质谱（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）提供了一个探测和分析微芯片键合点上有机沾污的有力武器．作者比较了两个ＴＯＦ－ＳＩＭＳ的正离子谱，一个是经目检发现键合点有沾污点的芯片，另一个是无沾污芯片．根据对ＴＯＦ－ＳＩＭＳ特征谱线和离子像的研究，认为沾污点是由某些以ＣＨｘ和ＮＨｙ结构组成的有机化合物造成的，并对铝有腐蚀作用．经分析发现这些有机沾污来源于微芯片的工艺
%K TOF－SIMS
%K 半导体芯片
%K 铝键合点
%K 有机沾污
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C45480004992859F591&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=6C3EA4F7B6E5F836&eid=C19D5524C51D7FE4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1