%0 Journal Article
%T MOS器件1/f噪声的双态系统理论──隧道模型与热激发模型的比较
%A 方志豪
%A 朱秋萍
%A 黄银彪
%A 鄢和平
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文提出了MOS器件1/f噪声的双态系统理论,在此基础上分别推导出MOS器件隧道模型和热激发模型的1/f噪声理论表达式,由此得到迄今比较精确完整的1/f噪声的温度因子和偏置因子。理论分析指出,两个模型的温度因子以及两个模型的偏置因子,在强反型时其变化规律均分别相似,仅在弱反型时变化规律才有明显的差别。理论与实验比较后表明,热激发模型能够解释现有的许多实验结果,尤其包括隧道模型所不能解释的弱反型1/f噪声实验现象,因而热激发模型有可能是更精确的一种模型。
%K MOS器件
%K 热激发
%K 1／f噪声
%K 隧道模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=296879D1C606E614&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=6313C162FF75889A&eid=4AB4178709047BE3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9