%0 Journal Article
%T 卧式MOCVD反应器内涡旋分布数值模拟
%A 金希卓
%A 丛志先
%A 刘明登
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文用有限元法,通过求解耦合的动量、能量微分方程组,对卧式冷壁MOCVD反应器内气体流动出现的涡旋分布进行了数值模拟,文中考虑了热浮力及反应器几何参数对涡旋分布的影响,同时讨论了涡旋发生与无量纲参数Gr、Re的比值Gr/Re~2的关系。计算结果表明,适当控制比值Gr/Re~2可以避免涡旋产生,从而为获得均匀生长速率提供了理论指导。本文的方法可用于类似地二维或轴对称流动涡旋分布的数值模拟。
%K MOCVD反应器
%K 涡旋分布
%K 数值模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6447F2A786B2C3E7&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=659D3B06EBF534A7&eid=DB817633AA4F79B9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=7&reference_num=0