%0 Journal Article
%T O_2在FeSi(100)表面的初始吸附研究
%A 丁孙安
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文利用高分辨电子能量损失谱(HREELS),俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)详细研究了O_2在FeSi(100)表面上的初始吸附阶段(0-10L),以及温度(RL-550℃)对吸附的影响.此外,通过对实验结果的分析,给出一种室温下O原子在FeSi(100)表面上吸附的模型.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7ABB449A70763DDBB4EE4ACDB2CCB952&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=38B194292C032A66&sid=2922B27A3177030F&eid=E2546871E5B846EF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0