%0 Journal Article
%T MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究
%A 卢励吾
%A 周洁
%A 庄婉如
%A 梅野正義
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究经MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs 单量子阱和多量子阱激光器深能级.样品的 DLTS谱表明,在激光器的量子阱和 n-GaAlAs 限制层里均存在着一个浓度和俘获截面较大的高温电子陷阱,该陷阱可能与MOCVD生长工艺和质子轰击引进的损伤有关,它直接影响激光器的性能.DX中心和高温电子陷阱在量子阱里可能局域在GaAlAs/GaAs层的界面附近.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1849344C726FFE9C&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=38B194292C032A66&sid=7CE3F1F20DE6B307&eid=8575BEDA702C4B7C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0