%0 Journal Article
%T 中子辐照硅的正电子湮没寿命谱研究
%A 罗宗德
%A 游志朴
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 研究了中子辐照硅中正电子湮没寿命谱的等时退火特性,得到与文献1]不相同的结果.实验资料对比表明,本工作的结果与EPR、IR、DLTS的实验能更好地符合.对1]中的双空位运动形成四空位的模型提出质疑.指出中子能谱不同很可能是导致缺陷俘获态寿命退火特性相异的重要原因.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=238822C3CCCAEF52&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=38B194292C032A66&sid=475189FCB44F11F6&eid=A020552C37306588&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0