%0 Journal Article
%T Growth of Cubic GaN by MOCVD at High Temperature<br>立方相GaN的高温MOCVD生长(英文)
%A Abstract
%A <br>付羿
%A 孙元平
%A 沈晓明
%A 李顺峰
%A 冯志宏
%A 段俐宏
%A 王海
%A 杨辉
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 利用 MOCVD技术在提高生长温度 (90 0℃ )下生长出了高质量的立方相 Ga N ,生长速度提高到 1.6μm / h.高温生长的 Ga N样品近带边峰室温光荧光半高宽为 4 8me V ,小于在 830℃下生长的 Ga N样品 .在ω扫描模式下 ,X射线衍射表明高温生长的 Ga N具有较小的 (0 0 2 )峰半高宽 2 1′.可以看出 ,尽管立方 Ga N是亚稳态 ,高生长温度仍然有利于其晶体质量的提高 .本文对 Ga N生长中生长温度和生长速度之间的关系作了讨论
%K cubic
%K GaN
%K MOCVD<br>立方相
%K GaN
%K MOCVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=041AE5D0E1F05825&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=2B5DE8A23DCEED39&eid=AE09EACBCD1B2A13&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=9&reference_num=8