%0 Journal Article
%T 硅基SiN_xO_y∶C~+薄膜的光致发光
%A 廖良生
%A 刘小兵
%A 熊祖洪
%A 何钧
%A 侯晓远
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为５５０ｎｍ的光致发光．样品经６００℃退火后，发光强度达到最大．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=03366AC706F288DB&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=9D453329DCCABB94&eid=5BC9492E1D772407&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0