%0 Journal Article
%T Si(112)高密勒指数面的理论研究
%A 张瑞勤
%A 吴汲安
%A 邢益荣
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文用Si_(39)H_(32)、Si_(35)H_(30)、Si_(91)H_(64)和Si_(58)H_(46)原子集团模型模拟Si(112)高密勒指数面,探讨了模拟Si(112)表面模型的选取,计算了诸原子集团中的电荷分布。发现,Si(112)表面元胞所处的环境对表面元胞中电荷分布性质有根本影响,大规模原子集团模型Si_(91)H_(64)较好地模拟了Si(112)表面的性质。不同的模型下都得到一个共同的电子结构特性,即表面原子在悬键方向存在电荷的趋向集居,且这种性质对台面原子尤为明显。这个结果说明,表面电荷的趋向集居是由表面原子的结构特点决定的。
%K 硅
%K 高密勒指数
%K 表面
%K 电荷分布
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=37F66A7B040BE42D&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=F3549E0657848E2A&eid=FF58680609C9D068&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3