%0 Journal Article
%T InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应
%A 刘伟
%A 张耀辉
%A 江德生
%A 王若桢
%A 周钧铭
%A 梅笑冰
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文利用光电流谱方法研究了10—300K温度范围内In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应,在室温及低温下均观察到明显的吸收边场致“蓝移”现象,并对Stark-ladder激子跃迁的能量位置及振子强度随电场的变化给予详细讨论。实验结果表明,利用In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层超晶格的Wannier-Stark效应可以制作0.98μm波长范围的电光调制器和自电光双稳器件。
%K 化合物半导体
%K 应变层
%K 超晶格
%K 效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE387883B12CD45BDB27&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=5A751AE9FA58A3FB&eid=68FF5306A8F9C315&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2