%0 Journal Article
%T 快速热退火多晶硅薄膜压阻特性研究
%A 曹子祥
%A 黄永宏
%A 王思杰
%A 陈怀溥
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文首先系统的研究了用 LPCVD工艺在温度为 625℃、气相硼硅原子比分别为 1.6 × 10~(-3)和2.0×10~(-3)时淀积的、其后又分别经900℃、1050℃、1150℃ 10秒钟快速热退火(RTA)处理的多晶硅薄膜压阻特性.然后,基于上述结果,着重研究了气相硼硅原子比分别为 1.6×10~(-3)、2.0 × 10~(-3)、4.0 ×10~(-3)和5.0 × 10~(-3)时淀积,其后只经1150℃ 10秒钟快速热退火处理的多晶硅薄膜压阻特性.在上述淀积条件下,与900℃ 30分钟常规热退火(FA)相比较,得到了快速热退火的最佳条件.
%K 多晶硅
%K 薄膜
%K 退火
%K 压阻特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E66BEF93F1721B70&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=59906B3B2830C2C5&sid=895BB10EB8F3BD49&eid=1CBB73E9593E8833&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1