%0 Journal Article
%T 氮生长掺杂和离子注入掺杂CVD金刚石薄膜的场电子发射
%A 邵乐喜
%A 谢二庆
%A 路永刚
%A 贺德衍
%A 陈光华
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文研究了氮生长掺杂和离子注入掺杂金刚石薄膜的场电子发射性能．测试结果表明，两类样品均显示良好的发射性能，即开启电压低（５０～１５０Ｖ）、发射电流大（６～３０ｍＡ），但它们有不同的发射行为：注入掺杂样品存在发射电流的饱和与滞后、开启电压的前移现象，而生长掺杂样品的发射符合Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ理论．实验还得到了用于生长场发射阴极薄膜的最佳掺杂氮碳流量比为～４２％．
%K 金刚石薄膜
%K 掺杂
%K 离子注入
%K 场电子发射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=035B57DBA4C1E99C&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=5E191A234CD3698F&eid=A1BB529A18D3A83E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4