%0 Journal Article
%T GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究
%A 臧岚
%A 杨凯
%A 张荣
%A 沈波
%A 陈志忠
%A 陈鹏
%A 周玉刚
%A 郑有炓
%A 黄振春
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且观察到在～３．４ｅＶ带边附近陡峭的截止边，即当光波长在从３６５ｎｍ变到３７５ｎｍ的１０ｎｍ区间内，光电流信号下降了３个数量级．在３６０ｎｍ波长处，我们测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系．通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据
%K 氮化镓
%K 紫外探测器
%K 光电流性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C45050D31A4C374CCCE&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=2BA123C6EB9D54C2&eid=BC084ACE66B62CC8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=2