%0 Journal Article
%T 低压MOVPE外延生长GaN膜的光致发光激发谱研究
%A 段家
%A 张伯蕊
%A 秦国刚
%A 张国义
%A 童玉珍
%A 金泗轩
%A 杨志坚
%A 姚光庆
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 对用低压ＭＯＶＰＥ法生长的非掺ＧａＮ外延膜，在其光致发光谱峰位３７０ｍｍ、５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近测量了光致发光激发（ＰＬＥ）谱．对于５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近的发光来说，各样品的ＰＬＥ峰都位于３６０ｕｍ处，而对于３７０ｕｍ发光来说，大部分样品ＰＬＥ峰位于２８０ｕｍ处，而有的样品却位于２６０与３００ｎｍ两个波长处，对这些结果进行了讨论．
%K 低压
%K MOVPE
%K 外延生长
%K GaN膜
%K 光致发光
%K 激发谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2F9862BC5B18BF24&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=5D311CA918CA9A03&sid=826ED638BDB6F0D0&eid=DB7B2C790D19BE6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1