%0 Journal Article
%T 载流子注入全内反射型GaAs/GaAlAs光波导开关
%A 庄婉如
%A 林雯华
%A 杨培生
%A 李任
%A 石志文
%A 赵一兵
%A 孙富荣
%A 高俊华
%A 刘涛
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型(CI-TIR)GaAs/GaAlAs光波导开关。开关工作波长为0.87μm,工作电流70mA,消光比14dB,串话-13dB。该开关具有尺寸小,与偏振无关,无阻塞,易集成的优点。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7A0F72338DC33933&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0