%0 Journal Article
%T 4H-SiC Homoepitaxial Growth by Horizontal Cold-Wall Chemical Vapor Deposition<br>水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜
%A Gao Xin
%A SUN Guosheng
%A Li Jinmin
%A Zhao Wanshun
%A Wang Lei
%A Zhang Yongxing
%A Zeng Yiping
%A <br>高欣
%A 孙国胜
%A 李晋闽
%A 赵万顺
%A 王雷
%A 张永兴
%A 曾一平
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积（LPCVD）方法在偏向〈11-20〉晶向8°的n型4H-SiC（0001）衬底上进行了同质外延生长．在5.3e3Pa的低压下，外延膜生长速率超过3μm/h．电容电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4e16cm－3．Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑，生长缺陷密度很低．AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm，没有观察到宏观台阶结构．Raman谱线清晰锐利，表现出典型的4H-SiC特征．在低温PL谱中，近带边区域出现很强的自由激子峰，表明样品是高质量的．
%K SiC
%K CVD
%K AFM
%K Raman
%K PL<br>碳化硅
%K 化学气相沉积
%K 原子力显微镜
%K Raman
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D9A10560050389AA&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=94C357A881DFC066&sid=66973F362693F62B&eid=2BCD2FED7562E194&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17