%0 Journal Article
%T Investigation on Etch Performance of Focused Ion Beam<br>聚焦离子束刻蚀性能的研究
%A XIE Jin
%A <br>谢进
%A 江素华
%A 王家楫
%A 唐雷钧
%A 宗祥福
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 对聚焦离子束 (FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究 .通过扫描电镜对 FIB刻蚀坑的观测 ,给出了在不同材料上 (硅、铝和二氧化硅 ) FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系 .由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响 ,从而影响着离子束的刻蚀速率 ;随着离子束流的增大 ,刻蚀速率并非线性增加 ,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀 ,对此也作了系统的分析和探讨
%K focused ion beam
%K integrate circuit
%K etching
%K sputtering<br>聚焦离子束
%K 集成电路
%K 刻蚀
%K 溅射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5CBF90A7C22AAC3E&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=0B39A22176CE99FB&sid=70AC2EF7F2065E09&eid=7CE3F1F20DE6B307&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=9