%0 Journal Article
%T Surface reconstructions and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during homoepitaxial growth on nonmisoriented GaAs(111)B by MBE<br>GaAs(111)B上MBE同法质外延生长中的表面再构和RHEED分析
%A Yang Ruixi
%A Wu Yibin
%A Niu Chenliang
%A Yang Fan
%A <br>杨瑞霞
%A 武一宾
%A 牛晨亮
%A 杨帆
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 采用分子束外延(MBE)技术，在正晶向GaAs(111)B衬底上进行同质外延生长时，利用反射式高能电子衍射(RHEED)绘制出静态和动态生长条件下的表面相图，研究了生长参数对表面再构的影响，并通过衍射图案强度分析确定了适合镜像外延生长的(√19×√19)再构区域。在生长过程中，通过RHEED强度振荡和表面形貌的分析优化了生长参数，成功地生长出无金字塔结构的镜像外延薄膜。
%K GaAs(111)B
%K RHEED
%K surface reconstruction
%K epilayer<br>GaAs(111)B
%K 反射式高能电子衍射
%K 表面再构
%K 外延层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=654EE13D08061171F1C41B33DB3B138B&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=9898A2A0D8F18E6A&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0