%0 Journal Article
%T Electronic Structure of (GaN) n/(AlN) n Strained-Layer Superlattice<br>(GaN)n/(AlN)n应变层超晶格的电子结构
%A Wang Xinhua
%A Wang Lingling
%A Wang Huaiyu
%A Deng Huiqiu
%A Huang Weiqing
%A <br>王新华
%A 王玲玲
%A 王怀玉
%A 邓辉球
%A 黄维清
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 以Free-Standing条件生长的超晶格原胞为计算模型，运用LCAO-Recursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n (001)应变层超晶格的电子结构. 由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga, Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势；当超晶格中存在空位时，带隙中将形成缺陷能级. 最后分析了在超晶格中引入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响.
%K Recursion method
%K (GaN)_n/(AlN)_n
%K strained-layer superlattice
%K electronic structure
%K defect energy level<br>Recursion方法
%K (GaN)n/(AlN)n
%K 应变层超晶格
%K 电子结构
%K 缺陷能级
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A6FBC68E7A93C45C&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=C8B07D2649102CD1&eid=FAA5B073435A65E1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=15