%0 Journal Article
%T 表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响
%A 裴素华
%A 薛成山
%A 赵善麒
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文对镓、镓－硼两种基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析，证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响．找到了改善晶体管击穿特性的具体措施
%K 晶体管
%K 表面杂质
%K 浓度分布
%K 负阻特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=69607511D7502939&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=974CBB04624305A1&eid=EF27C460877D3C9F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3