%0 Journal Article
%T Preparation and Photoluminescence Characteristic of SnO: Sb Thin Films<br>SnO2∶Sb薄膜的制备和光致发光性质
%A Wang Yuheng
%A Ma Jin
%A Ji Feng
%A Yu Xuhu
%A ZHANG Xijian
%A Ma Honglei
%A <br>王玉恒
%A 马瑾
%A 计峰
%A 余旭浒
%A 张锡健
%A 马洪磊
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜．制备样品为多晶薄膜，具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向，Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2晶格中．室温条件下对样品进行光致发光测量，在392nm附近观测到强的紫外-紫光发射，发射强度随制备功率的增加而增强，且样品退火后发射强度也明显增强．紫外-紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁．
%K SnO2∶Sb薄膜
%K 射频磁控溅射
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FC5346132E5F7805&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=94C357A881DFC066&sid=55434AEC30CBAE6B&eid=BD0BCC5CD284A664&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=23