%0 Journal Article
%T A cryogenic SAR ADC for infrared readout circuits<br>一种用于红外读出电路的低温SAR ADC
%A Zhao Hongliang
%A Zhao Yiqiang
%A Zhang Zhisheng
%A <br>赵宏亮
%A 赵毅强
%A 张之圣
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 本文提出了一种用于低温红外读出系统的连续逼近模数转换器（SAR ADC）电路。为了在很宽的温度范围内保证电路的性能，ADC中采用了一种温度补偿时域比较器结构。该比较器可在从室温到77K的极端工作温度条件下，实现稳定的性能和极低的功耗。该转换器采用标准的 0.35 μm CMOS 工艺制造，在77K的温度下，其最大微分非线性（DNL）和积分非线性（INL）分别为0.64LSB和0.59LSB。在采样率为200kS/s时可实现9.3bit的有效位数。在3.3V的电源电压下其功耗为0.23mW，占用的芯片面积为0.8*0.3 mm2。
%K cryogenic ADC
%K low power
%K successive approximation register
%K temperature-compensated time-based comparator<br>读出电路
%K 红外读出
%K ADC
%K SAR
%K 低温
%K 模数转换器
%K 积分非线性
%K CMOS工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A0C0AC355ED3D7748F758E7B989CC217&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=708DD6B15D2464E8&sid=E9046064D8310E93&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11