%0 Journal Article
%T Electroplated indium bump arrays and the bonding reliability<br>电镀法铟凸点制备技术以及可靠性研究
%A Huang Qiuping
%A Xu Gaowei
%A Quan Gang
%A Yuan Yuan
%A Luo Le
%A <br>黄秋平
%A 徐高卫
%A 全刚
%A 袁媛
%A 罗乐
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 铟凸点阵列通常被用于焦平面阵列与硅的读出电路间的倒装互连中。铟凸点制备技术是焦平面探测器制备的关键技术之一。本文阐述了一种基于电镀的铟凸点制备工艺流程；基于此流程，实验中成功制备出间距为100um,UBM直径为40um的16*16的焊球阵列。同时，实验中利用XRD技术对Ti/Pt对铟的阻挡性做出了研究，结果表明，Ti/Pt (300 /200 )在室温和200°C的温度下对铟均具有良好的阻挡性能。利用剪切力实验对铟凸点的可靠性做出了研究，实验结果表明，经过一次回流后，铟凸点的剪切有极大的变化，但之后增加回流次数，其剪切力变化不大，此现象可能与电镀铟内部的织构有关.本文也讨论了铟凸点的倒装工艺。
%K bumping
%K under bump metallization
%K shear test
%K bonding reliability<br>凸点技术
%K 凸点下金属化（UBM）
%K 剪切力测试
%K 焊接可靠性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6025F5121E5C21F53C507E0D29F0043B&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=85A7407795DA5558&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0