%0 Journal Article
%T Selective Area Growth InGaAsP by MOVPE<br>利用MOVPE选区外延生长InGaAsP(英文)
%A Qiu Weibin
%A Dong Jie
%A Wang Wei
%A Zhou Fan
%A <br>邱伟彬
%A 董杰
%A 王圩
%A 周帆
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 研究了利用低压 MOVPE宽条 (15μm )选区外延生长 In Ga As P的性质 .研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、 族源流量的变化规律 ,给出了合理的解释 .同时研究了不同 / 比下选择性生长 In Ga As P表面尖角的性质.
%K 选区外延
%K MOVPE
%K InGaAsP
%K 表面尖角
%K /比
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=11A029E6FF838017&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=E158A972A605785F&sid=556C1A86E372B606&eid=C7DDDE86E6286CD9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=15