%0 Journal Article
%T Study on Ionizing Radiation Trapped Charge in Thin SiO2 MOS Capacitors<br>薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究
%A 刘忠立
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 采用高频 C- V曲线方法 ,研究了 5 0 nm及 15 nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程 .二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在 1× 10 3Gy(Si)剂量下近乎相同 ,而在大于 3× 10 3Gy(Si)剂量下 ,5 0 nm MOS电容的电荷密度约为 15 nm MOS电容的 2倍 .利用电离辐射后的隧道退火效应 ,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si- Si O2 界面附近分布的距离均约为 4nm .
%K MOS capacitor
%K ionizing radiation
%K trapped charge<br>MOS电容
%K 电离辐射
%K 陷阱电荷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7CE3D5136C3D25E3&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=46CB56AABC2765FF&eid=3382A18868551611&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6